IRFH5210TRPBF

1. Niedrigere Leitungsverluste
2. Ermöglicht eine bessere Wärmeableitung
3.Erhöhte Zuverlässigkeit
4.Erhöhte Leistungsdichte
5. Kompatibilität mit mehreren Anbietern
6. Einfachere Herstellung
7.Umweltfreundlicher
8.Erhöhte Zuverlässigkeit

Hersteller-Teilenummer: IRFH9310TRPBF
Hersteller / MarkeInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:Neues Original, 12000 Stück Lagerbestand verfügbar.
Versand aus: Hongkong
Versandart: DHL/Fedex/TNT/UPS
Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Teilenummer IRFH9310TRPBF
Hersteller / Marke International Rectifier (Infineon Technologies)
Lagermenge 12000 Stk. Lager
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Breite - Innen -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Spannung/Strom - Ausgang 1 PQFN (5x6)
Toleranz 5250 pF bei 15 V
Tail-Typ P-Kanal
Stufenwinkel-MOSFET (Metalloxid)
Schrumpftemperatur Infineon Technologies
SFP/XFP-Typ ±20 V
Remote-Fähigkeit HEXFET®
Pitch - Kabeloberflächenmontage
Andere Namen Bleifrei / RoHS-konform
Andere Namen 1
Oszillator Typ 8-PowerVDFN
Anzahl der DACs 30 V
Spezifisches Mindestgewicht der Flüssigkeit -
Steckrichtung 4,6 mOhm bei 21 A, 10 V
Hersteller-Teilenummer IRFH9310TRPBFDKR-ND
Länge - Fass Digi-Reel®
Lampenfarbe 4,5 V, 10 V
High-Side-Spannung – max. (Bootstrap) 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Funktion 58 nC bei 4,5 V
Spulenleistung aktiv
Kanalkapazität (CS(aus), CD(aus)) 3,1 W (Ta)
Kartenlesertyp 2,4 V bei 100 µA
Funktionen und Vorteile
Eigenschaften Resultierende Vorteile
Niedriger RDSon (≤ 4,6 mΩ) Niedrigere Leitungsverluste
PQFN-Gehäuse nach Industriestandard Kompatibilität mit mehreren Anbietern
RoHS-konform. Enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen. Umweltfreundlicher
ergibt sich
Notiz
Formularmenge
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm Tape and Reel 4000
Bestellbare Teilenummer Pakettyp Standardpaket
VDS-30 V
RDS(ein) max
(@VGS = 10 V) 4,6 mΩ
Qg (typisch) 110 nC
RG (typisch) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
absolut beste Bewertungen
Parametereinheiten
VDS-Drain-zu-Source-Spannung
VGS-Gate-to-Source-Spannung
ID bei TA = 25 °C Dauerstrom, VGS bei -10 V
ID bei TA = 70 °C Dauerstrom, VGS bei -10 V
ID bei TC = 25 °C Dauerstrom, VGS bei -10 V (Silizium begrenzt)
ID bei TC = 70 °C Dauerstrom, VGS bei -10 V (Silizium begrenzt)
ID @ TC = 25 °C Dauerstrom, VGS @ -10 V (Package Limited)
Gepulster IDM-Drainstrom
PD @TA = 25°C Verlustleistung
PD @ TA = 70°C Verlustleistung
Linearer Derating-Faktor W/°C
TJ Betriebsknotenpunkt und
TSTG-Lagertemperaturbereich
Wiederholte Bewertung;Impulsbreite begrenzt durch max.Stellentemperatur.
Beginnend mit TJ = 25 °C, L = 1,1 mH, RG = 50 Ω, IAS = -17 A.
Impulsbreite ≤ 400 µs;Einschaltdauer ≤ 2 %.
Bei Montage auf 1-Zoll-Quadrat-Kupferplatte.
Rθ wird bei TJ von etwa 90°C gemessen.
NUR für DESIGN AID, unterliegt keiner Produktionsprüfung.